IGBT QM150E3Y-HD

Описание IGBT QM150E3Y-HD

QM150E3Y-HD – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики:

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1500 В
• Ток коллектора (I_C): до 150 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 300 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,3 В (при номинальном токе)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): до 600 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры переключения:

• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~400 нс
• Встроенный диод: Да (антипараллельный)

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный (например, TO-247, SEMiX и др.)
• Вес: ~100–150 г (зависит от корпуса)
• Крепление: винтовое или зажимное

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150E3Y-12H
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые замены (по характеристикам):

• QM150E3Y-H (упрощенная версия)
• QM150E3Y-LD (с пониженными потерями)
• QM150E3Y-HF (высокочастотный аналог)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и параметры в даташите конкретного производителя.