IGBT QM150E3YHD

Описание IGBT модуля QM150E3YHD

QM150E3YHD – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергии (солнечные, ветровые установки)

Модуль объединяет IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Диодные характеристики:

• Прямое напряжение диода (V_F): 1,8 В (при 150 А)
• Обратное восстановленное время (t_rr): ≤ 150 нс

Динамические параметры:

• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Затворный заряд (Q_g): 600 нКл

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): -40°C до +150°C
• Температура хранения: -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный (например, 62-мм стандарт)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Infineon: FF150R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGH150N120B3

Cross-reference (альтернативные обозначения):

• Производитель: возможно, Powerex (Mitsubishi) или другой бренд
• Аналоги:
  • QM150DY-12H
  • QM150E3Y
  • QM150D120

Примечания

• Перед заменой модуля необходимо проверить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Для оптимального охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор с низким тепловым сопротивлением.

Если вам нужна точная информация от производителя, уточните datasheet на официальном сайте (например, Mitsubishi, Infineon).