IGBT QM150E3YH

Описание IGBT QM150E3YH

IGBT QM150E3YH — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и электроприводах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 150 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 90 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 300 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В

Параметры переключения:

• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 150 А)

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Корпус и монтаж:

• Тип корпуса: модульный (включает встроенный диод)
• Монтаж: винтовое крепление на радиатор

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12KT4, FF150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели в линейке:

• QM100E3YH (100A, 1200V)
• QM200E3YH (200A, 1200V)
• QM300E3YH (300A, 1200V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Тяговые электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль QM150E3YH обеспечивает надежную работу в жестких условиях эксплуатации благодаря высоким показателям перегрузочной способности и температурной стабильности.

Если нужна более детальная информация (например, схемы подключения или графики характеристик), уточните запрос.