IGBT QM150E2Y-HE

Описание IGBT-модуля QM150E2Y-HE

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: NX-серия (новое поколение)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverter Grade)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность благодаря передовой технологии Mitsubishi. Корпус обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 150 А
• Импульсный ток (I_CP): 300 А
• Максимамая рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Типовое падение напряжения (V_CE(sat)): 1.8 В (при 75 А)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 70 нс / 300 нс

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1.5 В

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.15 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: 6-выводной (Standard 2-in-1 модуль)
• Вес: ~150 г
• Изоляция: 2500 В (мин.)

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• Mitsubishi: QM150E2Y-HE (полный аналог)
• Заменяемые устаревшие модели: CM150E2Y-12H, CM150E2Y-12S
• Аналоги других производителей:
  • Infineon: FF150R12KT4
  • Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модули в той же серии:

• QM100E2Y-HE (100 А, 1200 В)
• QM200E2Y-HE (200 А, 1200 В)
• QM300E2Y-HE (300 А, 1200 В)

Примечания

• Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется использовать драйверы с напряжением затвора 15 В (±20%).
• Для замены аналогов от других производителей необходимо проверять распиновку и параметры.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!