IGBT QM150E2YHD

Описание IGBT QM150E2YHD

QM150E2YHD — это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и встроенной защитой от перегрева.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (при 75°C)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Дополнительные особенности:

• Встроенный антипараллельный диод
• Изолированный корпус для простого монтажа на радиатор
• Низкая индуктивность внутренних соединений

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150VH-120-50
• Semikron: SKM150GB12T4

Рекомендуемые замены:

• QM150E2YHD-1 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)
• QM150E2YHD-R (версия с обратным диодом)

Совместимые модули в схемах:

• Может использоваться совместно с драйверами:
  • CONCEPT 2SC0108T
  • Infineon 1ED020I12-F2
  • Texas Instruments UCC21520

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в нагрузочной способности и схемотехнике.
• Для обеспечения надежности рекомендуется использовать оригинальные драйверы и системы охлаждения.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному применению, уточните условия эксплуатации.