IGBT QM150DY2HK

Описание IGBT QM150DY2HK

QM150DY2HK — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, системы управления электродвигателями и промышленные преобразователи частоты. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 100°C)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 150 А)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс

Диодные характеристики (встроенный обратный диод):

• Прямое напряжение (V_F): 1,8 В (при I_F = 150 А)
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Тепловые параметры:

• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,15 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C

Корпус:

• Тип: модуль с изолированным основанием (изолированный корпус)
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальный номер:

• QM150DY2HK (Mitsubishi / Powerex)

Аналоги и замены:

1. CM150DY-12H (Mitsubishi)
2. FF150R12KT4 (Infineon)
3. FZ150R12KE3 (Infineon)
4. 2MBI150U2A-120 (Fuji Electric)
5. SKM150GB12T4 (Semikron)

При замене важно учитывать распиновку, тепловые характеристики и электрические параметры.

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные инверторы

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или условиям эксплуатации, укажите дополнительные детали.