IGBT QM100HY2H

Описание IGBT QM100HY2H

QM100HY2H – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других силовых электронных устройствах.

Модуль сочетает высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам, что делает его популярным в промышленных и энергетических приложениях.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 600 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): -40°C ... +150°C
• Температура хранения: -40°C ... +125°C

Механические параметры:

• Корпус: модульный, с изолированным основанием
• Крепление: винтовое
• Вес: ~50 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• IXYS: IXGH100N120B3
• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H

Совместимые модели (схожие по параметрам):

• QM75HY2H (75 А, 1200 В)
• QM150HY2H (150 А, 1200 В)
• SKM100GB12T4 (Semikron, 100 А, 1200 В)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 55 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните детали!