IGBT psd25/16

Описание IGBT PSD25/16

IGBT PSD25/16 – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями и других высоковольтных силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода (NPT) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | до 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 5–6 В |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (возможны аналогичные) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH25N160B (IXYS/Littelfuse)
• STGW25NC160WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• PSD20/16 (20 А, 1600 В)
• PSD30/16 (30 А, 1600 В)
• PSD25/12 (25 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы и сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой проверяйте соответствие характеристик, особенно напряжение V_CES и ток I_C. Для точного подбора аналога рекомендуется использовать даташит производителя.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!