IGBT P11B07

IGBT P11B07: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT P11B07 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах управления мощностью. Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT-транзистор (N-канальный) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или уточнить по даташиту) |
| Ток коллектора (I_C) | 15–25 А (зависит от условий охлаждения) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 50 А (кратковременно) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (стандартное) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~100–150 Вт (с радиатором) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 / TO-3P (уточнить) |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные / альтернативные номера:

• P11B07 (возможны вариации: P11B07PL, P11B07PBF и т. д.)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, аналог)
• FGA25N120ANTD (Fairchild / ON Semi)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• GT20J101 (Toshiba)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• В инверторах и драйверах: P11B07 часто используется в паре с другими IGBT (например, N- и P-канальные в мостовых схемах).
• В сварочных аппаратах: Может заменяться на IRG4PC50U, IRGP4063DPBF в схожих схемах.

Примечания:

1. Перед заменой уточняйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть различия в пороговых напряжениях затвора.
2. Рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя (Infineon, Mitsubishi, STM и др.).

Если вам нужна точная информация по конкретному применению (например, в инверторе определенной модели), уточните устройство – подберём аналоги точнее.