IGBT MUBW50-06A73

Описание IGBT MUBW50-06A73

MUBW50-06A73 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 25 А)
• Время включения (t_on): ~35 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный, в зависимости от версии)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (проверьте распиновку и характеристики перед заменой!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (Microsemi)
• IXGH50N60B (IXYS)
• STGW50H60DF (STMicroelectronics)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Перед использованием рекомендуется сверяться с даташитом производителя для точных параметров и схем включения.