IGBT MG50Q6ES50A

Описание IGBT MG50Q6ES50A

IGBT MG50Q6ES50A – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, системы управления электродвигателями и промышленные преобразователи.

Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и встроенным быстрым диодом, что делает его подходящим для силовой электроники с высоким КПД.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое: ±15 В) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Парт-номера в других сериях:

• MG50Q6ES40 (аналог с V_CES = 400 В)
• MG50Q6ES60 (аналог с V_CES = 600 В)

Совместимые модули в схемах:

• Сборки IGBT-инверторов (например, 6MBP50RA060)
• Драйверы двигателей (например, с IR2110)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы и сервосистемы

Если вам нужны уточнённые параметры или datasheet, укажите область применения для более точного подбора аналога.