IGBT MG200Q1US51

Описание IGBT модуля MG200Q1US51

MG200Q1US51 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Toshiba, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль обладает высоким напряжением и токовыми характеристиками, обеспечивает эффективное управление мощностью и минимизацию потерь.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-------------| | Производитель | Toshiba | | Тип модуля | IGBT (NPT-тип) + диод | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.21 °C/Вт | | Корпус | 6-выводной, изолированный (модуль с базовой пластиной) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Toshiba:
  • MG200Q1US41 (аналог с близкими параметрами)
  • MG200Q1US61 (модификация с улучшенными характеристиками)
• Infineon:
  • FF200R12KE3
  • FZ200R12KE3
• Mitsubishi:
  • CM200DU-12NF
  • CM200DY-12NF
• SEMIKRON:
  • SKM200GB12T4
• Fuji Electric:
  • 2MBI200U2A-120

Совместимые модели в инверторах:

• Для приложений: промышленные частотные преобразователи, сварочные инверторы, системы управления двигателями.
• Примеры оборудования:
  • Преобразователи частоты Toshiba G7, VF-S11
  • Сварочные аппараты Kemppi, ESAB
  • Инверторы Siemens SINAMICS

Примечания

• Модуль требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Для замены рекомендуется проверять распиновку и характеристики управляющих сигналов.
• При монтаже важно соблюдать полярность и избегать статического электричества.

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или применению, уточните детали!