IGBT MG100Q1JS50

Описание IGBT MG100Q1JS50

IGBT MG100Q1JS50 – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей тепловой стабильностью. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других мощных электронных устройствах.

Технические характеристики:

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 500 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 100 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C = 100 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150 °C

Диодные характеристики (встроенный обратный диод):

• Прямое напряжение диода (V_F): 1,8 В (при I_F = 100 А)
• Время восстановления (t_rr): 100 нс

Корпус:

• Тип корпуса: TO-247 (или аналогичный изолированный корпус)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по некоторым параметрам, перед заменой рекомендуется проверять даташит.

Прямые аналоги:

• IXYS IXGN100N50A
• Infineon IKW50N60T
• Fairchild FGA100N50
• STMicroelectronics STGW50HF60WD

Совместимые модели (схожие характеристики):

• IRGP50B60PD1 (International Rectifier)
• FGH50N6S2D (ON Semiconductor)
• APT50GR60J (Microsemi)

Применение:

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание:

Перед использованием рекомендуется проверять datasheet производителя, так как параметры могут незначительно отличаться в зависимости от партии и производителя.

Если вам нужен более точный аналог или дополнительные параметры, уточните область применения и требования.