IGBT MBR50SB120-70

Описание IGBT MBR50SB120-70

MBR50SB120-70 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в модульном исполнении, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Модуль может включать в себя антипараллельный диод (FRD) для обеспечения обратного тока, что делает его пригодным для мостовых схем (например, в трехфазных инверторах).

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): до 100 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры встроенного диода (если есть):

• Прямое напряжение (V_F): ~1,5–1,8 В
• Обратное время восстановления (t_rr): < 100 нс

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~200–500 нс
• Затворный заряд (Q_g): ~200–300 нКл

Управление затвором:

• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (рекомендуемое ±15 В)
• Пороговое напряжение (V_GE(th)): 4–6 В

Корпус и монтаж:

• Корпус: модульный (возможно, TO-247 или подобный)
• Крепление: винтовое или на радиатор

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N120T7
• Fuji Electric: 2MBI50S-120
• Mitsubishi: CM50DY-24S
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120B3

Похожие модели в других линейках (если точный аналог отсутствует):

• MBR40SB120-60 (40 А, 1200 В)
• MBR60SB120-80 (60 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется уточнение по конкретному производителю или параметрам, рекомендуется проверять даташит или консультироваться с поставщиком, так как обозначения могут отличаться.