IGBT mbm300hs6b

Описание IGBT MBM300HS6B

MBM300HS6B – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для мостовых схем (например, H-мостов).

Основные сферы применения:

• Промышленные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Электропреобразовательные системы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 300 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 150 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 600 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | Модуль (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF300R06KE3
• Mitsubishi: CM300DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI300U6A-060
• SEMIKRON: SKM300GB066D

Совместимые модели (по схожим параметрам):

• MBM300HS12B (аналог на 1200 В)
• MBM200HS6B (аналог на 200 А)
• MBM400HS6B (аналог на 400 А)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется проверять распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в управляющих цепях и тепловых параметрах.

Если требуется более точная информация по аналогам, уточните производителя оригинального модуля.