IGBT J2Q01A-B

Описание IGBT J2Q01A-B

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) J2Q01A-B — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Этот модуль сочетает в себе преимущества MOSFET (высокую скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип: IGBT модуль
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 25 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): до 50 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~100–150 Вт (зависит от охлаждения)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8–2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~100–200 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием (обычно TO-247 или аналогичный)

Тепловые параметры:

• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,5–1,0 °C/Вт
• Рекомендуемый радиатор: зависит от условий эксплуатации

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Прямые аналоги:
  • Infineon: IKW25N60T, IKW30N60T
  • Fuji Electric: 2MBI25N-060
  • Mitsubishi: CM75DY-12H
  • STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Частично совместимые (с проверкой параметров):
  • IXYS: IXGH25N60B3D1
  • ON Semiconductor: FGH25N60

Парт-номера производителя:

• J2Q01A-B (оригинальный код)
• Возможны вариации: J2Q01A, J2Q01B (уточняйте datasheet)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Системы возобновляемой энергетики

Если вам нужна точная замена, рекомендуется свериться с даташитом производителя или проконсультироваться с поставщиком, так как параметры могут незначительно отличаться в зависимости от производителя.

Нужны ли дополнительные данные?