IGBT IRGB6B60K

Описание IGBT IRGB6B60K

IRGB6B60K – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для коммутации средних и высоких токов в импульсных источниках питания, инверторах, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В)
• Ток коллектора (I_C = 6 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) = 1.55 В при I_C = 6 А)
• Быстрое переключение с встроенным антипараллельным диодом
• Корпус TO-220AB (изолированный)
• Высокая термостабильность и надежность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 6 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 3.5 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 12 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) (при I_C = 6 А) | ≤1.55 В |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon (International Rectifier):

• IRGB6B60KDPBF – аналог с улучшенными характеристиками
• IRGB6B60KD – предыдущая версия

Совместимые модели от других производителей:

• STGP6NC60HD (STMicroelectronics)
• FGA6N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG6N60A4D (Renesas)
• IXGH6N60B (IXYS)

Похожие по параметрам (600 В, 6 А):

• IRG4BC20KDPBF (Infineon, 600 В, 4.3 А)
• IRG4BC30KDPBF (Infineon, 600 В, 7.5 А)

Применение

• Импульсные блоки питания
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование

Если требуется большая мощность, можно рассмотреть модули на основе нескольких IGBT (например, IRAMX16UP60A).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!