IGBT FP35R12KT4

Описание IGBT модуля FP35R12KT4

FP35R12KT4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных инверторных приложений, таких как:

• Частотные преобразователи
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Системы электропитания (UPS, солнечные инверторы)

Модуль объединяет в одном корпусе транзисторы IGBT с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых схемах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 35 А
• Ток короткого замыкания (I_SC): 105 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,85 В (при I_C = 35 А, V_GE = 15 В)
• Время включения (t_on): 48 нс
• Время выключения (t_off): 310 нс

Параметры диода:

• Прямое падение напряжения (V_F): 1,7 В (при I_F = 35 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Управление:

• Напряжение затвора (V_GE): ±20 В (рекомендуемое ±15 В)
• Заряд затвора (Q_g): 210 нКл

Корпус:

• Тип: 62 мм (EconoPACK™ 3)
• Монтаж: винтовой
• Изоляция: керамическая подложка (DCB)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon:
  • FP35R12KT3 (предыдущая версия)
  • FP35R12KE3 (альтернатива с улучшенными характеристиками)
• Mitsubishi: CM35DY-12H
• SEMIKRON: SKM35GB12T4
• Fuji: 2MBI35N-120

Совместимые модули по характеристикам:

• IR (Infineon): IRG4PH40UD
• ON Semiconductor: NGTB35N120FL3WG

Где применяется?

• Преобразователи частоты (VFD)
• Электроприводы (двигатели, сервоприводы)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергии

Модуль FP35R12KT4 отличается высокой эффективностью, хорошим тепловыделением и надежностью, что делает его популярным в промышленной электронике.

Если нужны дополнительные аналоги или спецификации – уточните!