IGBT FD150R12RT4

Описание IGBT модуля FD150R12RT4

FD150R12RT4 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль используется в промышленных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и системах управления электродвигателями.

Отличается высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и эффективным охлаждением благодаря конструкции с изолированным основанием.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с обратным диодом (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.85 В (при 75 А) |
| Падение напряжения диода (V_F) | ~1.7 В |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (Isolated Baseplate) |
| Рекомендуемый теплоотвод | Применение термопасты/прокладки |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FF150R12RT4
• Semikron: SKM150GB12T4
• Mitsubishi: CM150DY-12S

Близкие по характеристикам замены:

• IXYS: MIXA150PF1200
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• Toshiba: MG150Q2YS40

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и токовые параметры.
• Тип корпуса и способ монтажа.
• Наличие встроенного диода.
• Тепловые характеристики и рекомендации по охлаждению.

Если требуется полная совместимость, лучше использовать оригинальный модуль FD150R12RT4 или его точный аналог от Infineon (FF150R12RT4).

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам подключения, уточните запрос!