IGBT DP25D1200T101691

Описание и технические характеристики IGBT модуля DP25D1200T101691

Описание:
IGBT-модуль DP25D1200T101691 — это силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в стандартном корпусе с низким тепловым сопротивлением и обеспечивает высокую надежность.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ≤ 2,0 В |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 150 Вт |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль может иметь альтернативные обозначения в зависимости от производителя и серии:

Парт-номера:

• DP25D1200T1 (сокращенное обозначение)
• DP25D1200T101691 (полный номер)
• IRG4PH50UD (аналог от International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (аналоги):

• IRGP4063DPBF (Infineon)
• HGTG20N120BND (Fairchild)
• IXGH25N120B3D1 (IXYS)
• STGW25H120DF3 (STMicroelectronics)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие по напряжению, току и характеристикам переключения.

Нужна дополнительная информация по применению или схемам подключения?