IGBT DF200R12KE3

Описание IGBT модуля DF200R12KE3

Модуль IGBT DF200R12KE3 – это высоковольтный силовой полупроводниковый прибор, разработанный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами. Модуль объединяет IGBT-транзисторы с быстрыми диодами в едином корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в мощных преобразовательных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с обратным диодом (Dual) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1000 Вт |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 600 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 45 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 320 нс |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Корпус | модуль (62 мм × 108 мм × 30 мм) |
| Вес | ~300 г |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (Infineon):

• DF200R12KT3 (более новая версия с улучшенными характеристиками)
• DF200R12KE3G (версия с оптимизированным охлаждением)

Совместимые аналоги от других производителей:

• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Mitsubishi: CM200DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI200U2B-120

Международные эквиваленты:

• IXYS: IXGH200N120B3
• STMicroelectronics: STGW200NC120HD

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль DF200R12KE3 отличается высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к коротким замыканиям, что делает его востребованным в тяжелых промышленных условиях.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или применению, уточните параметры вашего устройства!