IGBT CP10TD124A

Описание IGBT CP10TD124A

IGBT CP10TD124A — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокочастотных преобразователей, импульсных источников питания, инверторов и других силовых электронных устройств. Этот компонент сочетает в себе высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

• Тип транзистора: NPT-IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 20 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 50 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5–6 В
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 1,25 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (изолированный вариант возможен)
• Диод обратного восстановления: встроенный (Fast Recovery Diode)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены)

• Infineon: IKW10N120T2
• Fuji Electric: 10MB120A
• Toshiba: GT10Q124
• STMicroelectronics: STGW10NC120HD

Совместимые модели (по параметрам)

• IRG4PC30U (International Rectifier, 600V, 23A)
• HGTG10N120BN (Fairchild/Renesas, 1200V, 10A)
• FGA15N120ANTD (ON Semiconductor, 1200V, 15A)

Применение

• Инверторы (в т.ч. для сварочных аппаратов)
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы
• Устройства плавного пуска

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверять datasheet по параметрам V_CES, I_C и корпусу. Некоторые аналоги могут иметь отличия в скорости переключения или тепловых характеристиках.

Нужна дополнительная информация по конкретному применению? Уточните — помогу подобрать оптимальную замену!