IGBT CM75DY24E

Описание IGBT CM75DY24E

IGBT CM75DY24E — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Этот модуль объединяет в себе IGBT и антипараллельный диод, обеспечивая эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C) / 150 А (импульсный)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ≤ 2,5 В (при 75 А)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Диодные характеристики:

• Максимальный обратный ток диода (I_F): 75 А
• Прямое падение напряжения диода (V_F): ≤ 2,0 В

Динамические параметры:

• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Время восстановления диода (t_rr): ≤ 250 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Тип корпуса: модуль (изолированный)

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• CM75DY24E (производитель: Powerex / Mitsubishi Electric)

Прямые аналоги и совместимые модели:

• SKM75GB12T4 (Semikron)
• FF75R12KE3 (Infineon)
• MG75Q1YS40 (Toshiba)
• FZ75R12KE3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY12H (старая версия с аналогичными параметрами)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные инверторы

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!