IGBT CM50TF-24H

Описание IGBT CM50TF-24H

IGBT CM50TF-24H – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления двигателями. Модуль сочетает высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам, что делает его востребованным в промышленной и силовой электронике.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (I_C при 80°C) | 35 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C...+150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.63 °C/Вт |
| Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены и аналоги:

• CM50TF-24H (оригинал)
• CM50DY-24H (аналог с близкими параметрами)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Совместимые модели в других линейках:

• Mitsubishi: CM75TF-24H (75 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI50U-120 (50 А, 1200 В)
• Infineon: IKW50N120T2 (50 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

При замене на аналог учитывайте различия в корпусе, расположении выводов и динамических характеристиках. Для критичных применений рекомендуется проверять datasheet заменяемой модели.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей или данные по драйверам), уточните запрос.