IGBT cm150du-12h

Описание IGBT модуля CM150DU-12H

CM150DU-12H – это двухканальный IGBT-модуль (DUAL) с напряжением 1200 В и током 150 А, разработанный для мощных преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль объединяет два IGBT с антипараллельными диодами в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------------------------------| | Тип модуля | DUAL IGBT с диодами | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C @ 80°C) | 100 А | | Импульсный ток (I_CP) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 0.3 мкс | | Время выключения (t_off) | 1.5 мкс | | Диод: прямое напряжение (V_F) | 1.8 В (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт (на канал) | | Корпус | 6-выводной (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C ... +125°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные обозначения:

• CM150DU-12H (Mitsubishi)
• CM150DU-12NFH (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели (аналоги от других производителей):

1. Infineon:
   • FF150R12RT4
   • FF150R12KE3
2. Fuji Electric:
   • 2MBI150U2A-120
3. SEMIKRON:
   • SKM150GB12T4
4. ON Semiconductor:
   • NXH150B12H3Q1

Кросс-совместимость:

Модули с аналогичными параметрами (1200 В, 150 А, DUAL) могут заменяться при условии согласования распиновки и тепловых характеристик.

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Модуль CM150DU-12H отличается высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к коротким замыканиям, что делает его популярным в тяжелых промышленных условиях.

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров и конструктивных особенностей.