IGBT CM100DY/12H

IGBT CM100DY/12H: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT-модуль CM100DY/12H – это двухключевой силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразователях энергии, инверторах, сварочных аппаратах и промышленных приводах. Модуль имеет встроенные ультрабыстрые диоды, что упрощает схему управления и повышает надежность системы.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Двухключевой IGBT (NPT-технология) с антипараллельными диодами |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 80 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 300 нс |
| Встроенный диод | Да (Ultra-Fast Diode) |
| Корпус | 6-выводной, изолированный (SEMITOP, аналог TO-247) |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналогичные модели от Mitsubishi:

• CM100DY/12H (базовая модель)
• CM100DY/24H (1200 В версия)
• CM100DY/12HA (улучшенная версия)
• CM100DY/12HB (с низкими потерями)

Аналоги от других производителей:

• Infineon – FF100R06KE3 (600 В, 100 А)
• Fuji Electric – 2MBI100N-060 (600 В, 100 А)
• ON Semiconductor – NXV100B120T1 (600 В, 100 А, TO-247)
• STMicroelectronics – STGW100H60DF (600 В, 100 А)

Совместимые модули с другими токами:

• CM75DY/12H (75 А)
• CM150DY/12H (150 А)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Преобразователи частоты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

Если требуется замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и особенности схемы управления. Для точной совместимости рекомендуется проверять datasheet заменяемого модуля.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!