IGBT BSM50GD170DL

Описание IGBT модуля BSM50GD170DL

BSM50GD170DL – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя Infineon Technologies, предназначенный для использования в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в стандартном корпусе 34 мм, обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 32 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 70 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 6 В
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GES): ±20 В

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C

Диодные характеристики (встроенный обратный диод):

• Прямое падение напряжения (V_FM): 1,7 В
• Обратный восстановленный заряд (Q_rr): 4,5 мкКл

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM50GB170DLC (аналог с улучшенными параметрами)
• BSM75GD170DL (версия на 75 А)
• BSM35GD170DL (версия на 35 А)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi CM50DY-24H (1700V, 50A)
• Fuji 2MBI50L-170 (1700V, 50A)
• SEMIKRON SKM50GB170D (1700V, 50A)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Модуль BSM50GD170DL отличается высокой надежностью и подходит для замены в ремонте или модернизации оборудования. При выборе аналога следует учитывать не только электрические параметры, но и тепловые режимы работы.

Если вам нужна дополнительная информация по замене или применению, уточните условия эксплуатации.