IGBT BSM50GAL120D

Описание IGBT BSM50GAL120D

BSM50GAL120D – это NPT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль от компании Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и системах управления двигателями. Модуль объединяет в одном корпусе два IGBT-транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды), что делает его удобным для построения полумостовых (Half-Bridge) схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2x IGBT + диоды) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 330 Вт | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.3 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | 100 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | модуль (изолированный) | | Вес | ~180 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (в зависимости от схемы):

• Infineon: BSM50GB120D, BSM75GAL120D (более мощный аналог)
• Fuji Electric: 2MBI50N-120 (2MBI50N-120-50)
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB123D
• IXYS: IXGH50N120B3D

Совместимые модели (проверять распиновку!):

• BSM100GAL120D (схожий, но на 100 А)
• BSM150GAL120D (150 А)
• BSM200GAL120D (200 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, необходимо сверять характеристики и распиновку, поскольку разные производители могут иметь отличия в управляющих сигналах.

Нужна дополнительная информация?