IGBT BSM25GD120DN2E3224

Описание IGBT BSM25GD120DN2E3224

BSM25GD120DN2E3224 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники питания
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT и антипараллельный диод, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах.

Технические характеристики BSM25GD120DN2E3224

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (двухключевой) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 50 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | до 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~40 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | 34 мм (изолированный, с радиатором) |
| Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM25GD120DN2 (основная модель без суффикса)
• BSM25GDL120DN2 (с улучшенной надежностью)
• BSM25GP120 (альтернативный вариант)

Совместимые аналоги от других производителей:

• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-24H (Mitsubishi Electric)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Примечания

• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться.
• Для замены необходимо учитывать не только электрические характеристики, но и тепловые параметры, а также тип корпуса.

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или схемы подключения), уточните запрос.