IGBT BSM10GD120DN2E

Описание IGBT BSM10GD120DN2E

BSM10GD120DN2E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды, обеспечивая высокую мощность и надежность в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями и других промышленных приложениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 10 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 7 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 20 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 280 нс |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 50 Вт |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 120 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1.25 °C/Вт |
| Корпус | 34 мм (DIN 41 880) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (Infineon):

• BSM10GD120DN2 (более ранняя версия)
• BSM10GP120 (схожие характеристики)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI10U4B-120
• Mitsubishi: CM10DY-24H
• Semikron: SKM10GB120D
• ON Semiconductor: NGD8200B120T4G

Применение

• Промышленные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Модуль BSM10GD120DN2E отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его популярным выбором для силовой электроники. Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и параметры в даташите.

Если нужна дополнительная информация (например, datasheet), уточните!