IGBT 7MBR50SB-120

Описание IGBT модуля 7MBR50SB-120

Производитель: Fuji Electric (возможны аналоги от других брендов)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverter Leg)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями и промышленных приводах.

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
2. Максимальный ток коллектора (IC @ 80°C): 50 А
3. Ток импульсный (ICM): 100 А (кратковременно)
4. Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): ~2.1 В (типовое)
5. Ток управления затвором (IG): ±20 А (макс.)
6. Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В (макс.)
7. Мощность рассеивания (Ptot): ~200 Вт (зависит от условий охлаждения)
8. Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
9. Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.25 °C/Вт
10. Встроенный диод: Fast Recovery Diode (FRD) с обратным напряжением 1200 В

Корпус:

• Стандартный 2-in-1 модуль (Half-bridge)
• Изолированное основание (для монтажа на радиатор).

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric:

• 7MBR50SA-120 (предыдущая версия)
• 7MBR50SB-120-50 (вариант с дополнительными параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12S
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Powerex (IXYS): CM50HA-12H

Примечание: При замене проверяйте распиновку, параметры VGE и тепловые характеристики.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами производителей.