IGBT 7MBP50NA060

Описание IGBT-модуля 7MBP50NA060

7MBP50NA060 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и частотных приводов. Модуль выполнен в стандартном корпусе 7MB и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для мостовых схем (например, полумост или полный мост).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 25 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0,8 мкс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,62 °C/Вт |
| Диапазон температур (T_j) | -40°C ~ 150°C |
| Корпус | 7MB (изолированный) |
| Встроенные диоды | Да (антипараллельные) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги Mitsubishi Electric:

• 7MBP50NA060-50 (дополнительная маркировка)
• 7MBP50NA060-01 (альтернативная версия)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF50R06RT4 (50 А, 600 В)
• Fuji Electric: 6MBP50NA060 (похожий корпус и параметры)
• Semikron: SKM50GB063D (50 А, 600 В, с диодами)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление двигателями

Модуль 7MBP50NA060 обеспечивает высокую надежность и эффективность в системах с высокими коммутационными нагрузками. При замене на аналог важно учитывать схему подключения и тепловые параметры.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!