IGBT 6R1MBI100P-160-54

Описание IGBT модуля 6R1MBI100P-160-54

IGBT модуль 6R1MBI100P-160-54 – это высоковольтный силовой полупроводниковый модуль, разработанный для применения в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других мощных электронных устройствах. Модуль содержит два IGBT-транзистора с диодами обратного восстановления (FRD) в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 100 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 500 Вт
• Тип корпуса: 6-выводной модуль (стандартный)

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 100 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Параметры диода (FRD):

• Прямое напряжение (V_F): 1,8 В (при I_F = 100 А)
• Время обратного восстановления (t_rr): 100 нс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric:
  • CM100DY-24H (1600 В, 100 А, Half-Bridge)
  • 6MB1P100H-160-50 (современный аналог)
• Infineon:
  • FF100R12KT4 (1200 В, 100 А, но может использоваться в некоторых случаях)
• Fuji Electric:
  • 2MB1100XB-160-50

Совместимые модели в других сериях:

• 6R1MBI100P-120-54 (1200 В версия)
• 6R1MBI75P-160-54 (1600 В, 75 А)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется уточнять параметры схемы и условия эксплуатации.