IGBT 6r1mbi100p-160

Описание IGBT модуля 6R1MBI100P-160

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT модуль с диодом обратного хода (встроенный FRD)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных приводах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 200 А (пиковый)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Встроенный диод: Fast Recovery Diode (FRD)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 500 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,15 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C

Динамические параметры:

• Время включения (t_on): 70 нс (тип.)
• Время выключения (t_off): 320 нс (тип.)
• Скорость нарастания напряжения (dv/dt): до 10 кВ/мкс

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое соединение
• Вес: ~150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 6R1MBI100P-160 (оригинал)
• CM100DY-24H (аналог с близкими параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-160
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Замены с учетом характеристик:

• Вместо 6R1MBI100P-160 можно использовать:
  • Mitsubishi CM100DY-24H
  • Infineon FF100R12KE3
  • Fuji 2MBI100U4A-160

Применение

• Промышленные приводы
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы

Модуль 6R1MBI100P-160 отличается высокой надежностью и эффективностью в высоковольтных приложениях. При замене важно учитывать параметры напряжения, тока и тепловые характеристики.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению — уточните!