IGBT 6mbp75ra-060

Описание IGBT модуля 6MBP75RA-060

6MBP75RA-060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный компанией Fuji Electric. Модуль предназначен для применения в силовой электронике, включая:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Солнечные инверторы

Модуль имеет встроенный обратный диод (FRD) и выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые характеристики.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток при 80°C | ~50 А (зависит от условий охлаждения) |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (типовое) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50 нс / 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Стандартный модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric:

• 6MBP50RA060 (50 А, 600 В)
• 6MBP100RA060 (100 А, 600 В)
• 6MBP150RA060 (150 А, 600 В)

Аналоги других производителей:

• Infineon FF75R12KT4 (75 А, 1200 В, но может потребоваться пересмотр схемы)
• Mitsubishi CM75DY-12H (75 А, 600 В)
• Semikron SKM75GB12T4 (75 А, 1200 В)
• ON Semiconductor FGH75T60SMD (75 А, 600 В)

При замене на аналог важно учитывать:

• Напряжение и ток
• Распиновку и тепловые характеристики
• Наличие встроенного диода

Применение и особенности

• Подходит для частотных преобразователей мощностью до ~15-30 кВт.
• Требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с защитой от перегрузки (например, Fuji EXB841).

Если вам нужна более точная замена, уточните тип схемы и рабочие условия.