IGBT 6MBP150RF060

Описание IGBT модуля 6MBP150RF060

6MBP150RF060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных инверторах, преобразователях частоты и промышленных приводах. Модуль включает в себя IGBT-транзисторы с быстрым восстановлением диода, что обеспечивает эффективное управление высокими напряжениями и токами.

Основные области применения:

• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Электромобили и зарядные станции
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (6-й генерации) |
| Макс. напряжение VCES | 600 В |
| Номинальный ток IC (25°C) | 150 А |
| Макс. ток IC (пиковый) | 300 А |
| Мощность рассеяния (PD) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Температура хранения | -40°C ~ +125°C |
| Температура работы | -20°C ~ +150°C (Tj max) |
| Схема включения | Трехфазный мост (6 в 1) |
| Корпус | Стандартный (изолированный) |

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера Mitsubishi (прямые аналоги):

• 6MBP150RA060 (аналогичные параметры, другой корпус)
• 6MBP150RH060 (с улучшенными характеристиками)
• 6MBP150RS060 (версия с оптимизированным теплоотводом)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF300R06KE3
• Fuji Electric: 6MBP150RA060-50
• SEMIKRON: SKM150GB066D
• ON Semiconductor: NXH150B600H3Q2

Особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенные температурные датчики (NTC) для защиты от перегрева
• Высокая стойкость к короткому замыканию
• Оптимизированная конструкция для снижения индуктивности

Модуль 6MBP150RF060 подходит для замены в большинстве промышленных инверторов, где требуются высокие токи и надежность.

Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам – уточните детали!