IGBT 6MBI50U4A-120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50U4A-120-50

Производитель: Fuji Electric (или другой бренд, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с интегрированным диодом
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @ 25°C): 50 А
• Пиковый ток коллектора (ICM): 100 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): ~2.1 В (типовое)
• Время включения (ton): ~100 нс
• Время выключения (toff): ~300 нс
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.25 °C/Вт

Встроенный диод (Flywheel Diode):

• Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Номинальный прямой ток (IF): 50 А
• Пиковый прямой ток (IFRM): 100 А

Тепловые и механические параметры:

• Диапазон рабочих температур (Tj): -40°C до +150°C
• Корпус: Стандартный модуль (возможно, 6-контактный, изолированный)
• Монтаж: Винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и заменители:

• Fuji Electric: 6MBI50U4-120 (возможны вариации)
• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Semikron: SKM50GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• 6MBI75U4-120 (75 А, 1200 В)
• 6MBI100U4-120 (100 А, 1200 В)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники питания

Если у вас есть конкретное применение или требуются дополнительные параметры (например, динамические характеристики), уточните — дополню описание!