IGBT 6mbi50n-120

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 6MB150N-120

Описание:
6MB150N-120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования, систем управления двигателями и промышленных приводов.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип модуля | Двухканальный IGBT с диодами | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @25°C) | 50 А | | Ток коллектора (IC @80°C) | 25 А | | Импульсный ток (ICM) | 100 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 80 нс | | Время выключения (toff) | 400 нс | | Диод обратного восстановления (trr) | 120 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.55 °C/Вт | | Корпус | 6MBI (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• Fuji Electric:
  • 6MB150N-060 (600V)
  • 6MB150N-120-50 (альтернативная версия)
• Infineon:
  • FF50R12RT4
• Mitsubishi:
  • CM50DY-12H
• Semikron:
  • SKM50GB12T4

Совместимые модели в схожих корпусах:

• Fuji Electric:
  • 6MB100N-120 (100A, 1200V)
  • 6MB200N-120 (200A, 1200V)
• Infineon:
  • FF75R12RT4 (75A, 1200V)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet и pinout, так как параметры могут незначительно отличаться.

Нужны ли дополнительные данные? 😊