IGBT 6MBI150U4B120-01

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 6MBI150U4B120-01

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: N-series (6MBi)
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (FRD)
Конфигурация: 1 в 1 (один IGBT и один антипараллельный диод)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, промышленные приводы, источники питания.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 150 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Падение напряжения диода (V_F) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 0,15 мкс | | Время выключения (t_off) | 0,45 мкс | | Температура работы | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | модуль с изолированным основанием (изоляция 2500 В) | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 6MBI150U4B120-02 (обновленная версия)
• 6MBI150U4B120-03 (с улучшенными параметрами)
• 6MBI150U4B120-50 (альтернативная версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI150U4B-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA150WB1200EH

Рекомендуемые замены:

• Если точного аналога нет, можно подобрать модуль с аналогичными V_CES (1200 В) и током (150 А).

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Модуль 6MBI150U4B120-01 обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах. При замене аналогами важно учитывать схему управления и параметры теплового режима.