IGBT 6DI50A-050

IGBT 6DI50A-050: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT 6DI50A-050 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электроприводами.

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью. Корпус обеспечивает изоляцию между полупроводниковыми элементами и радиатором.

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT модуль (NPT-технология) |
| Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Рабочая температура (T_j) | -40 °C … +150 °C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |

Встроенный диод:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Обратное напряжение диода (V_RRM) | 600 В |
| Прямой ток диода (I_F) | 50 А |
| Падение напряжения на диоде (V_F) | 1,8 В |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели (полные или частичные замены):

• STGW50NC60VD (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• 6DI75A-050 (75 А, 600 В)
• 6DI50A-060 (50 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями
• Солнечные инверторы

Если нужны более точные аналоги или datasheet, уточните производителя оригинального модуля (Infineon, Mitsubishi, Fuji и т. д.).