IGBT 50N120FL2WG

Описание IGBT 50N120FL2WG

IGBT 50N120FL2WG – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных высоковольтных приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой устойчивостью к перегрузкам. Подходит для инверторов, сварочных аппаратов, промышленных приводов и систем управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип прибора | NPT IGBT с диодом (антипараллельный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Ток коллектора (I_C при 100°C) | 30 А | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 250 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 40 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 200 нс | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Диапазон рабочих температур | -55°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IXGH50N120B3 (IXYS)
• FGA50N120FTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG50N120B3 (Microsemi)
• IRG4PC50UD (Infineon)

Совместимые модели (с проверкой распиновки и параметров):

• 50N120FL2 (устаревшая версия)
• 50N120FL2W (близкий аналог)
• 50N120FL2G (с улучшенными характеристиками)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если нужна дополнительная информация по замене или схемотехнике – уточните!