IGBT 303GB12E4S

Описание IGBT-модуля 303GB12E4S

303GB12E4S — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразовательных систем. Модуль используется в промышленных приводах, системах возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы), сварочном оборудовании и электропоездах.

Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|--------------|
| Тип модуля | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 300 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 600 А |
| Мощность (P_tot) | до 1500 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,85 В |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Температура хранения | -40...+125 °C |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• 303GB12E4S (основной номер)
• 303GB12E4S7 (возможная модификация)

Совместимые / альтернативные модели:

• Infineon: FF300R12KE3, FF300R12KT4
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120
• SEMIKRON: SKM300GB12E4

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных электростанций
• Тяговые системы (электропоезда, электромобили)
• Сварочные аппараты

Если требуется дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните параметры вашей системы.