IGBT 2MBI150N-120

Описание IGBT-модуля 2MBI150N-120

2MBI150N-120 – это IGBT-модуль производства Fuji Electric, выполненный в стандартном корпусе 2MBI. Модуль предназначен для использования в инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Высокая мощность и надежность
• Низкие потери проводимости и коммутации
• Встроенный диод для обратного тока
• Высокий уровень изоляции
• Удобный монтаж на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 80°C) | 150 А | | Импульсный ток (I_CP) | 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Скорость переключения | Высокая | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | 2MBI (изолированный) | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера от Fuji Electric:

• 2MBI150N-120 (базовая модель)
• 2MBI150N-120-50 (модификация с дополнительными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM150DY-12S
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: MIXA150WB1200

Области применения

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль 2MBI150N-120 отличается высокой надежностью и подходит для замены в большинстве стандартных схем с аналогичными характеристиками.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!