IGBT 2MBI150F120

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI150F120

Описание:
2MBI150F120 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных преобразователей частоты, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модуль имеет двухключевую структуру (Dual IGBT) с обратными диодами (FRD), обеспечивающую высокую эффективность и надежность в импульсных схемах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Dual IGBT с FRD (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 150 А) |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Макс. рабочая температура (T_j) | 150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | 2-pack, изолированный |
| Монтаж | Винтовой |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги от Mitsubishi:

• 2MBI150U4A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI150U4H-120 (аналог с улучшенным охлаждением)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI150N-120

Применение:

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Устройства плавного пуска
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 2MBI150F120 подходит для замены в ремонте или модернизации оборудования, где требуется высокая мощность и надежность.

Если нужна дополнительная информация — уточняйте!