IGBT 2DI150A-120A

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2DI150A-120A

Модуль IGBT 2DI150A-120A – это двухканальный (Dual) IGBT-модуль с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, преобразователях частоты, системах управления электроприводами и источниках питания.

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT с обратным диодом (2 в 1, Dual)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC): 150 А (при 25°C)
• Импульсный ток (ICM): до 300 А
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): ~2,0 В (типовое)
• Падение напряжения на диоде (VF): ~1,8 В
• Время включения (ton): ~50 нс
• Время выключения (toff): ~300 нс
• Максимальная рабочая температура (Tj): +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0,15 °C/Вт
• Корпус: стандартный модульный (например, 62mm или аналогичный)
• Вес: ~200–300 г (зависит от производителя)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4, FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
• Mitsubishi: CM150DY-24H
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: MIXA150PA1200

Возможные замены (с проверкой спецификаций):

• 2DI150A-170A (на 1700 В)
• 2DI200A-120A (аналог с большим током)
• 2DI75A-120A (меньший ток, но та же серия)

Примечание:

Перед заменой модуля необходимо уточнить распиновку, тепловые параметры и электрические характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.

Если нужна точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом оригинального модуля или консультироваться с поставщиком.