IGBT 2DI100ZA-100

IGBT 2DI100ZA-100: Описание, технические характеристики и совместимость

Описание

IGBT 2DI100ZA-100 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и схемах управления мощностью. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод и высокую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Мощность рассеяния (P_tot) | ~300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модуль с изолированной базой | | Тип управления затвором | Оптимизирован для быстрого переключения | | Тип диода (если встроен) | Быстрый антипараллельный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые модули (могут отличаться по характеристикам, требуется проверка перед заменой):

• Infineon: FF100R12KT4, FZ100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-12H, CM100DY-24H (для других напряжений)
• Fuji Electric: 2MBI100VA-100, 2MBI100VB-100
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• ON Semiconductor: NVG100A120T1

При замене необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Распиновку и конструкцию корпуса
• Наличие встроенного диода

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташит производителя или консультироваться с поставщиком.