IGBT 28AC065V1

Описание и технические характеристики IGBT 28AC065V1

IGBT 28AC065V1 – это высоковольтный IGBT-транзистор с обратным диодом, предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: IGBT + свободный диод (NPT-технология)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 650 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 28 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: ~18–20 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 56 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~150–200 Вт (в зависимости от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~1,8–2,2 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~30–50 нс
• Время выключения (t_off): ~100–150 нс
• Корпус: TO-247 (3-контактный)
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXGH28N60 (IXYS)
• IRG4PC50U (Infineon)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor)

Близкие по характеристикам (возможна замена с проверкой параметров):

• IRGP30B60PD1 (Infineon, 600 В, 30 А)
• NGTB25N65S2 (ON Semiconductor, 650 В, 25 А)

Если вам нужен точный аналог, лучше проверить datasheet и условия работы, поскольку параметры могут отличаться по динамическим характеристикам и тепловому сопротивлению.

Примечание:
Перед заменой рекомендуется свериться с документацией, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках и корпусах.