IGBT 1DI100D-050

Описание IGBT модуля 1DI100D-050

1DI100D-050 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как частотные преобразователи, сварочные аппараты, индукционные нагреватели и системы управления электродвигателями.

Модуль оснащен встроенным диодом обратного хода (антипараллельный диод), обеспечивающий защиту от перенапряжений и улучшенную работу в инверторных схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с антипараллельным диодом | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 100 A | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 200 A | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Типовое напряжение включения (V_GE(th)) | 5–7 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Температурный диапазон | -40°C…+150°C | | Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм) | | Вес | ~150–200 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (зависит от производителя):

• Infineon: FF100R05KE3, FF100R06KE3
• Fuji Electric: 1MBI100V-050, 2MBI100N-050
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Semikron: SKM100GB066D
• IXYS: IXGH100N50

Похожие модели (разные характеристики, но совместимые по применению):

• 1DI75D-050 (75 A, 500 В)
• 1DI150D-050 (150 A, 500 В)
• 1DI100D-060 (100 A, 600 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы и сервосистемы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Системы рекуперации энергии

Если вам нужны точные параметры для конкретного производителя, уточните бренд (например, Infineon, Fuji, Mitsubishi и т. д.), так как характеристики могут незначительно отличаться.

Нужна дополнительная информация?