IGBT 10NAC12T4IT45

Описание IGBT 10NAC12T4IT45

IGBT 10NAC12T4IT45 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокоточных силовых приложений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой стойкостью к перегрузкам.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные и автомобильные электронные системы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А | | Ток импульсный (I_CM) | 40 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер (Infineon / International Rectifier):

• 10NAC12T4IT45

Аналоги и совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 45A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200V, 25A)
• HGTG20N120BND (STMicroelectronics, 1200V, 40A)
• IXGH20N120B3 (IXYS, 1200V, 40A)
• APT50GR120J (Microsemi, 1200V, 75A, для более мощных систем)

Альтернативные парт-номера (в зависимости от производителя):

• 10N120 (обозначение по напряжению и току)
• T4IT45 (версия корпуса и технология)

Примечания по замене

При замене IGBT 10NAC12T4IT45 на аналог следует учитывать:

• Напряжение (V_CES) – должно быть не менее 1200 В.
• Ток (I_C) – желательно брать с запасом (25–50 А).
• Корпус – TO-247 или совместимый.
• Характеристики переключения – t_on/t_off должны быть близкими.

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальный номер 10NAC12T4IT45 или уточнять спецификации у производителя (Infineon / IR).

Если нужна дополнительная информация – уточняйте!