IGBT 100j7csb1w

Описание IGBT-модуля 100J7CSB1W

100J7CSB1W – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль содержит в себе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Основные технические характеристики:

• Тип: IGBT-модуль с диодом
• Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 100 А
• Макс. импульсный ток (I_CM): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~100 нс / ~300 нс
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C
• Корпус: Стандартный модульный (изолированное основание)
• Монтаж: Винтовое крепление

Эквиваленты и совместимые модели:

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• Infineon: FF100R12KS4 (близкий аналог по характеристикам)
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Powerex (Fuji): 2MBI100N-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• 100J7CSB1W может заменяться на модули с такими же параметрами (1200 В, 100 А, полумостовая конфигурация).
• В некоторых случаях возможна замена на модули с большим током (например, 150 А) при условии совпадения корпуса и управляющих сигналов.

Применение:

• Частотные преобразователи (ЧП)
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварка и промышленные системы питания

Если вам нужны точные параметры для конкретной схемы, уточните условия эксплуатации (охлаждение, частота переключений и т. д.).